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  • 2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems

2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems

發(fā)布時(shí)間：2024-04-29 09:28:46     瀏覽：1716

　　Linear Systems 2N/PN/SST4117系列單通道N溝道JFET放大器是針對(duì)高輸入阻抗應(yīng)用而設(shè)計(jì)的理想選擇。它的特點(diǎn)包括低功耗和小的電路加載量，使其適用于需要高性能放大器的場(chǎng)合。

Linear Systems 2N/PN/SST4117系列

　　針對(duì)2N4117A型號(hào)，它的源極飽和電流(IDss)小于600微安，而柵極源極漏電流(lgss)在2N4117A系列中低于1皮安，這保證了低功耗和小的電路加載量。

　　此外，該系列放大器在設(shè)計(jì)和性能上具有一些絕對(duì)最大額定值，需要在特定條件下測(cè)量并注意。該系列產(chǎn)品涵蓋了不同封裝形式下的尺寸和特性，如TO-72、TO-92和SOT-23。

　　電氣特性方面，該系列放大器具有穩(wěn)定的柵極源極擊穿電壓(BVGss)，在不同型號(hào)中保持了一致的性能范圍。此外，其柵極反向電流非常低，進(jìn)一步體現(xiàn)了其高性能特點(diǎn)。

FEATURES
LOW    POWER                Ioss<600μA  (2N4117A)
MINIMUM CIRCUIT LOADING    less<1 pA (2N4117A Series)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 3)
@25°℃(unless otherwise noted)
Gate-Source or Gate-Drain Voltage40V
Gate-Current50mA
Total Device Dissipation
(Derate 2mWAC above 25℃)		300mW
Storage Temperature Range55°C to+150°℃
Lead Temperature
(1/16"from case for 10 seconds)		300℃

SYMBOLCHARACTERISTIC411741184119UNITS  CONDITIONS
MINMAXMINMAXMINMAX
BVgssGate Source Breakdown
Voltage		40
40
40
Vg =-1μA Vos=0
VgsGate-Source Cutoff Voltage0.6-1.8-1-32-6Vos =10V Io=1nA
lossSaturation Drain Current
( NOTE 2)		0.030.600.080.600.200.80mAVos =10V Ves=0
GSsGate Reverse Current
2N4117A,2N4118A,2N4119A		■■-1
-1
-1pAVcs =-20V Vos=0

-2.5
-2.5
-2.5nA150℃
PN4117,PN4118,PN4119
SST4117,SST4118,SST4119		■■-10
-10■-10pAVos =-10V Vos=0

-25
-25m■-25nA1509℃
gisCommon-Source  Forward
Transconductance		7045080650100700μSVos =10V Vas=0f=1kHz
gosCommon-Source  Output
Conductance
3
5■10
CiCommon-Source Input
Capacitance (NOTE  4)
3
3■3pFf=1MHz
CrssCommon-Source  Reverse
Transfer Capacitance (NOTE 4)
1.5
1.5
1.5

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