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Linear Systems 2N4351 N通道增強(qiáng)型MOSFET

發(fā)布時(shí)間：2025-03-31 09:11:10     瀏覽：1636

Linear Systems 2N4351 N通道增強(qiáng)型MOSFET

　　產(chǎn)品名稱

　　2N4351 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET

　　訂購型號(hào)：

　　2N4351 TO-72 4L RoHS

　　2N4352 TO-72 4L RoHS

　　2N4351 Die

　　2N4352 Die

　　產(chǎn)品特點(diǎn)

　　直接替代 Intersil 2N4351：兼容 Intersil 的 2N4351 產(chǎn)品。

　　高漏極電流：最大漏極電流(ID)為 20mA。

　　高跨導(dǎo)增益：跨導(dǎo)增益(gfs)為 1000μS。

　　低導(dǎo)通電阻：漏極到源極導(dǎo)通電阻(rds(on))為 300Ω。

　　低漏電流：漏極泄漏電流(IDSS)為 10nA。

　　快速開關(guān)特性：

　　開啟延遲時(shí)間(td(on))：最大 45ns。

　　開啟上升時(shí)間(tr)：最大 65ns。

　　關(guān)閉延遲時(shí)間(td(off))：最大 60ns。

　　關(guān)閉下降時(shí)間(tf)：最大 100ns。

　　絕對(duì)最大額定值(25°C 時(shí))

符號(hào)特性最小值典型值最大值單位條件
BVDSS漏極到源極擊穿電壓-25-VID = 10μA, VGS = 0V
VDS(on)漏極到源極導(dǎo)通電壓-1-VID = 2mA, VGS = 10V
VGS(th)柵極到源極閾值電壓1-5VVDS = 10V, ID = 10μA
IGSS柵極漏電流--±10pAVGS = ±30V, VDS = 0V
IDSS漏極泄漏電流（關(guān)閉狀態(tài)）--10nAVDS = 10V, VGS = 0V
ID(on)漏極電流（導(dǎo)通狀態(tài)）-3-mAVGS = 10V, VDS = 10V
gfs正向跨導(dǎo)增益-1000-μSVDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
rds(on)漏極到源極導(dǎo)通電阻-300-ΩVGS = 10V, ID = 100μA, f = 1kHz
Crss反向傳輸電容-1.3-pFVDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
Ciss輸入電容-5-pFVDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
Cdb漏極到體極電容-5-pFVDB = 10V, f = 140kHz


　　溫度范圍：

　　存儲(chǔ)溫度：-55°C 至 +150°C。

　　工作結(jié)溫：-55°C 至 +150°C。

　　最大功耗：

　　連續(xù)功耗：350mW(環(huán)境溫度 25°C)。

　　最大電流：

　　漏極到源極電流：20mA。

　　最大電壓：

　　漏極到體極電壓：25V。

　　漏極到源極電壓：25V。

　　柵極到源極電壓：±30V。

　　電氣特性(25°C 時(shí))

　　封裝

　　封裝類型：TO-72 4 引腳封裝。

　　應(yīng)用場(chǎng)景

　　2N4351 是一款高性能的 N-通道增強(qiáng)型 MOSFET，適用于以下場(chǎng)景：

　　開關(guān)電源：高效率的開關(guān)元件。

　　信號(hào)處理電路：低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其適合高頻信號(hào)處理。

　　模擬開關(guān)：低漏電流和高跨導(dǎo)增益使其適合高精度模擬電路。

　　保護(hù)電路：快速開關(guān)特性可用于過流保護(hù)和短路保護(hù)。

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