Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:1839
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應用。

主要參數
漏源電壓(VDS):1200V
連續漏極電流(ID):25°C時為17A
導通電阻(RDS(on)):25°C時為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復時間(trr):34ns
反向恢復電荷(Qrr):197nC
應用領域
開關電源
DC-DC轉換器
PFC電路
電機驅動
機器人控制
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。
推薦資訊
NXP恩智浦半導體作為全球半導體行業的領導者,憑借其全面的產品線和創新技術,在汽車、物聯網、安全連接和移動設備等多個領域占據主導地位。其核心產品微控制器(MCU)系列豐富多樣,從基礎到高端應用全覆蓋,基于多核架構如ARM Cortex-M系列,具備強勁性能、節能設計、多樣接口、高集成度和強大的安全性,廣泛應用于汽車電子、物聯網、消費電子、工業控制、醫療設備、能源管理和航空航天等多個領域,推動智能設備和系統的發展。
Minco公司提供的柔性電路組件具備強大的定制化能力,其工程師團隊可協助客戶完成從組裝到質量保證的全過程。產品支持有源和無源表面貼裝技術組件(小至0201)以及多種焊接技術,確保高精度和完全集成的解決方案。
在線留言