Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:1759
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。

主要參數(shù)
漏源電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns
反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC
應(yīng)用領(lǐng)域
開(kāi)關(guān)電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人控制
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推薦資訊
Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器,專為高性能模擬信號(hào)處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性;電氣性能方面,有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗,具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù);提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng);適用于音頻放大、精密測(cè)量設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。
ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC,電容值最高可達(dá)2.000 μF,標(biāo)準(zhǔn)容差±10%;工作溫度范圍(G10外殼材料)按不同降額情況有所不同,全額定溫度時(shí)為 -55°C至60°C,30%降額時(shí)為 -55°C至85°C,50%降額時(shí)為 -55°C至105°C,75%降額時(shí)為 -55°C至125°C;絕緣電阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下?lián)p耗因子小于0.6%,經(jīng)過(guò)130%額定電壓1分鐘測(cè)試,生產(chǎn)流程符合ISO 9001:2015認(rèn)證,符合MIL-STD-202測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),可按需符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。
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