DEI1016/DEI1016A/DEI1016B ARINC429收發(fā)器
發(fā)布時(shí)間:2025-10-11 08:55:59 瀏覽:562
DEI1016/DEI1016A/DEI1016B 是由Device Engineering Incorporated 公司生產(chǎn)的一款 ARINC 429 串行收發(fā)器系列,主要用于航空電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)傳輸。
DEI1016 系列提供了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)航空電子串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線與 16 位寬數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線之間的接口。該接口電路包括一個(gè)單通道發(fā)射機(jī)、一個(gè) 8×32 位緩沖區(qū)、兩個(gè)獨(dú)立接收通道以及一個(gè)主機(jī)可編程控制寄存器,用于選擇操作選項(xiàng)。

訂購(gòu)信息
| DEI PART NUMBER(2) | MARKING(1) | PACKAGE See Table 10 | TEMP RANGE | PROCESSING See Table 9 | |
| DEI1016 | DEI1016 | 40 SBDIP | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN 100%TEST | |
| DEI1016-DMB | DEI1016-DMB | 40 SBDIP | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN SAMPLE TEST | |
| DEI1016A | DEI1016A | 44 PQFP | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016A-G | DEI1016AE3 | (1) | 44 PQFPG | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD |
| DEI1016B | DEI1016B | 44 PLCC | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016B-G | DEI1016B E3 (1) | 44 PLCC G | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-QMS | DEI1016-QMS | 44 PQFP | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-QMS-G | DEI1016-QMS E3 (1) | 44 PQFPG | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-PMS | DEI1016-PMS | 44 PLCC | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-PMS-G | DEI1016-PMS E3 (1) | 44 PLCC G | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-EES | DEI1016-EES | 44 CLCC | 55/+85℃ | CERAMIC SAMPLE TEST | |
| DEI1016-EMS | DEI1016-EMS | 44 CLCC | -55/+125℃ | CERAMIC SAMPLE TEST | |
| DEI1016-EMB | DEI1016-EMB | 44 CLCC | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN SAMPLE TEST | |
核心特性:
雙接收器+單發(fā)射器:獨(dú)立雙通道接收,單通道發(fā)射。
多協(xié)議支持:兼容ARINC 429/571/575/706協(xié)議。
可配置字長(zhǎng):支持25位或32位數(shù)據(jù)格式(通過(guò)控制寄存器配置)。
自檢模式:內(nèi)置回環(huán)測(cè)試(Wrap-around Self-Test),無(wú)需外部連接。
低功耗設(shè)計(jì):采用CMOS工藝,典型電源電流5mA(1MHz時(shí)鐘)。
寬溫工作:
擴(kuò)展級(jí):-55°C至+85°C
軍用級(jí):-55°C至+125°C
封裝選項(xiàng):QFP、PLCC、LCC、CDIP(44引腳或40引腳)。
關(guān)鍵功能模塊
1、接收器(雙通道)
輸入特性:
差分輸入范圍:±10V(邏輯1/0),共模電壓容限±5V。
輸入阻抗:12kΩ(差分/對(duì)地/對(duì)電源)。
數(shù)據(jù)處理:
支持源/目標(biāo)地址碼校驗(yàn)(SDENB控制位)。
自動(dòng)奇偶校驗(yàn)生成與檢查(可配置奇偶或數(shù)據(jù)位)。
數(shù)據(jù)訪問(wèn)需順序讀取(Word 1和Word 2)。
2、發(fā)射器
緩沖設(shè)計(jì):8×32位FIFO,支持塊傳輸。
輸出特性:
TTL電平輸出(DO(A)/DO(B)),返回零格式。
數(shù)據(jù)速率:100kbps(高速)或12.5kbps(低速)。
3、控制寄存器
16位配置選項(xiàng):
字長(zhǎng)選擇(WLSEL)、數(shù)據(jù)速率(TXSEL/RCVSEL)。
奇偶校驗(yàn)使能(PAREN)、自檢模式(SLFTST)。
源/目標(biāo)地址碼校驗(yàn)(SDENB1/SDENB2)。
電氣特性
電源電壓(VDD):-0.5~+7.0V
輸入電壓(DI引腳):±29V
存儲(chǔ)溫度:-65+150°C
輸入低電平(VIL):≤0.8V,高電平(VIH):≥2.0V
輸出驅(qū)動(dòng)能力:20mA(CMOS)/6mA(TTL)
時(shí)鐘要求:1MHz外部時(shí)鐘(±1%精度)
應(yīng)用場(chǎng)景
航空電子系統(tǒng):航電數(shù)據(jù)總線、飛行控制、導(dǎo)航設(shè)備。
典型連接:
發(fā)射端:需外接ARINC 429線驅(qū)動(dòng)器(如DEI系列驅(qū)動(dòng)IC)。
接收端:直接連接ARINC總線,無(wú)需外部元件。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)提供DEI高端芯片訂貨渠道,部分備有現(xiàn)貨庫(kù)存。
推薦資訊
Onsemi的NTBG014N120M3P是第三代1200V EliteSiC溝槽MOSFET,采用D2PAK-7L封裝,具有14mΩ超低導(dǎo)通電阻(25°C時(shí)150A連續(xù)電流),專(zhuān)為高頻高效設(shè)計(jì),開(kāi)關(guān)損耗僅1.95mJ(開(kāi)通1331μJ/關(guān)斷620μJ),柵極電荷377nC,支持40kHz以上開(kāi)關(guān)頻率;其優(yōu)勢(shì)包括:175°C高溫下導(dǎo)通電阻29mΩ、418mJ單脈沖雪崩能量、0.23°C/W超低熱阻,工作結(jié)溫-55~175°C,兼容標(biāo)準(zhǔn)SiC驅(qū)動(dòng)器,廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、EV快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)等高壓高效場(chǎng)景。
iNRCORE的1000B-5006和1000B-5006X是專(zhuān)為千兆以太網(wǎng)(1000BASE-T)設(shè)計(jì)的高性能變壓器模塊,符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn),具有低插入損耗、高共模抑制比和堅(jiān)固的環(huán)氧樹(shù)脂封裝(耐235°C高溫)。標(biāo)準(zhǔn)版工作溫度-40°C至+85°C,擴(kuò)展版(1000B-5006X)支持-55°C至+125°C,絕緣耐壓達(dá)1500Vrms,尺寸緊湊(0.53"×0.61"×0.039"),適用于交換機(jī)、路由器、工業(yè)通信及數(shù)據(jù)中心等嚴(yán)苛網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。
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