Vincotech 600V 20A功率模塊10-F006PPA020SB-M685B
發(fā)布時(shí)間:2025-12-02 09:20:34 瀏覽:289
Vincotech 10-F006PPA020SB-M685B 功率模塊適用于 高能效、高可靠性工業(yè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),集成PFC與逆變功能,優(yōu)化開關(guān)損耗,是 電機(jī)控制、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的理想選擇。

型號(hào):10-F006PPA020SB-M685B
類型:Flow PIM 0 + PFC(功率集成模塊)
封裝:17mm 高度,Clip-in PCB 安裝方式
核心優(yōu)勢(shì):
集成 整流二極管、PFC開關(guān)(MOSFET)、逆變IGBT 于一體,優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換效率。
采用 溝槽場(chǎng)截止IGBT(Trench Field Stop),降低飽和損耗,提高開關(guān)性能。
最新一代 超結(jié)MOSFET,提升PFC(功率因數(shù)校正)效率。
2. 關(guān)鍵規(guī)格
額定電壓:600VV
最大電流(逆變IGBT):20AA
最大功率耗散:90WW
最大結(jié)溫:150°C°C
熱阻(IGBT→散熱片):1.81K/W
3. 主要應(yīng)用
工業(yè)驅(qū)動(dòng)(如伺服電機(jī)、變頻器)
嵌入式驅(qū)動(dòng)(如自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)器人)
高效PFC電路(適用于開關(guān)電源、UPS等)
4. 核心特性
? 高性能IGBT:
低開關(guān)損耗(Eon=0.667mJ @15A, 125°C)
6μs短路耐受能力(VGE=15V),提高系統(tǒng)可靠性。
? 高能效PFC MOSFET:
導(dǎo)通電阻僅3.6mΩ(Tj=25°C),降低導(dǎo)通損耗。
柵極電荷(Qg)170nC,優(yōu)化高頻開關(guān)性能。
? 優(yōu)化熱管理:
低熱阻設(shè)計(jì)(MOSFET Rth(j-s)=0.78K/W),提升散熱能力。
5. 安全與可靠性
2500V AC隔離耐壓(1分鐘測(cè)試)
12.7mm爬電距離,符合工業(yè)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)。
Vincotech專注功率電子模塊研發(fā)與制造,覆蓋工業(yè)、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。其產(chǎn)品涵蓋4A至1800A電流范圍、600V至2400V電壓范圍,深圳市立維創(chuàng)展科技優(yōu)勢(shì)代理銷售Vincotech功率模塊,歡迎咨詢了解。
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