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Vincotech 600V 20A功率模塊10-F006PPA020SB-M685B

發(fā)布時(shí)間:2025-12-02 09:20:34     瀏覽:289

  Vincotech 10-F006PPA020SB-M685B 功率模塊適用于 高能效、高可靠性工業(yè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),集成PFC與逆變功能,優(yōu)化開關(guān)損耗,是 電機(jī)控制、電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的理想選擇。

Vincotech 10-F006PPA020SB-M685B 功率模塊

  型號(hào):10-F006PPA020SB-M685B

  類型:Flow PIM 0 + PFC(功率集成模塊)

  封裝:17mm 高度,Clip-in PCB 安裝方式

  核心優(yōu)勢(shì):

  集成 整流二極管、PFC開關(guān)(MOSFET)、逆變IGBT 于一體,優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換效率。

  采用 溝槽場(chǎng)截止IGBT(Trench Field Stop),降低飽和損耗,提高開關(guān)性能。

  最新一代 超結(jié)MOSFET,提升PFC(功率因數(shù)校正)效率。

  2. 關(guān)鍵規(guī)格

  額定電壓:600VV

  最大電流(逆變IGBT):20AA

  最大功率耗散:90WW

  最大結(jié)溫:150°C°C

  熱阻(IGBT→散熱片):1.81K/W

  3. 主要應(yīng)用

  工業(yè)驅(qū)動(dòng)(如伺服電機(jī)、變頻器)

  嵌入式驅(qū)動(dòng)(如自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)器人)

  高效PFC電路(適用于開關(guān)電源、UPS等)

  4. 核心特性

  ? 高性能IGBT:

  低開關(guān)損耗(Eon=0.667mJ @15A, 125°C)

  6μs短路耐受能力(VGE=15V),提高系統(tǒng)可靠性。

  ? 高能效PFC MOSFET:

  導(dǎo)通電阻僅3.6mΩ(Tj=25°C),降低導(dǎo)通損耗。

  柵極電荷(Qg)170nC,優(yōu)化高頻開關(guān)性能。

  ? 優(yōu)化熱管理:

  低熱阻設(shè)計(jì)(MOSFET Rth(j-s)=0.78K/W),提升散熱能力。

  5. 安全與可靠性

  2500V AC隔離耐壓(1分鐘測(cè)試)

  12.7mm爬電距離,符合工業(yè)級(jí)安全標(biāo)準(zhǔn)。

 Vincotech專注功率電子模塊研發(fā)與制造,覆蓋工業(yè)、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。其產(chǎn)品涵蓋4A至1800A電流范圍、600V至2400V電壓范圍,深圳市立維創(chuàng)展科技優(yōu)勢(shì)代理銷售Vincotech功率模塊,歡迎咨詢了解。

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