Ampleon CLS3H3135L-700 S波段高功率GaN-on-SiC射頻功率晶體管
發布時間:2026-03-05 09:00:31 瀏覽:160
CLS3H3135L-700是荷蘭半導體公司Ampleon 推出的高功率 GaN-on-SiC(氮化鎵/碳化硅)HEMT 射頻功率晶體管,專為 S波段長脈沖雷達應用 設計。其關鍵定位是為 3.1 GHz ~ 3.5 GHz 頻率范圍內的高功率放大器提供強勁、可靠的RF輸出。

主要技術參數
頻率范圍:3.1 GHz – 3.5 GHz
輸出功率:700 W 典型
增益:約 13.2 dB 典型
效率:~57%
工作電壓:50 V
包封形式:SOT502A(帶法蘭陶瓷封裝)
驅動類型:脈沖 RF(長脈沖支持最高 300 μs,10 % 占空比)
典型應用
CLS3H3135L-700 主要用于:
·S波段脈沖功率放大器(Pulsed Power Amplifiers),常見于雷達發射鏈路
·ERP/CHIRP雷達系統設計
·空中交通控制雷達、氣象雷達、軍事與監視雷達等領域
·需要700 W+ 輸出功率和長脈沖工作的高功率 RF 環境
相關型號:
| 頻率范圍 | 型號 | 封裝 |
| 2.7 – 3.1 GHz | CLS3H2731L-700 | SOT502A(帶法蘭) |
| 2.7 – 3.1 GHz | CLS3H2731LS-700 | SOT502B(無引線陶瓷) |
| 3.1 – 3.5 GHz | CLS3H3135L-700 | SOT502A(帶法蘭) |
| 3.1 – 3.5 GHz | CLS3H3135LS-700 | SOT502B(無引線陶瓷) |
Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內的廣泛產品線,適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業等多個領域,深圳市立維創展科技有限公司優勢分銷Ampleon產品線,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
WYO222MCMBF0KR是VISHAY生產的單層陶瓷電容器,由兩面鍍銀陶瓷盤構成,連接引線為直徑0.6毫米鍍錫銅線,有直線或扭結引線兩種形式、5.0毫米或7.5毫米的引線間距,外部涂層為藍色阻燃環氧樹脂。它符合相關標準,具有高可靠性、多種特性,電容范圍1.0 nF - 12 nF、公差±20%,絕緣電阻等參數明確,額定電壓因應用類別而異,還有不同的測試電壓,適用于多種場景。
安森美EliteSiC系列是專為工業和能源應用設計的碳化硅功率半導體解決方案,包含二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊四大類產品,覆蓋650V至1700V電壓范圍。該系列產品具有高效率、高功率密度、低損耗等優勢,支持175°C高溫運行,適用于光伏逆變器、電動汽車充電、工業驅動等應用場景。相比傳統硅器件,EliteSiC可顯著提升系統能效(3%-5%)并減小體積,同時提供出色的可靠性和散熱性能,為現代能源系統提供更優化的功率轉換方案。
在線留言